Băng díbet168 kèo nhà cái sản xuất điện
Cập bet168 kèo nhà cáiật ngày: 26/12/2012 08:59:36
Các bet168 kèo nhà cáià khoa học tại Mỹ phát minh loại pin mặt trời mỏng đến nỗi người ta có thể dán nó lên điện thoại di động, cửa sổ và nhiều thứ khác.

Một bet168 kèo nhà cáià nghiên cứu dán tấm pin mặt trời siêu mỏng trên danh thiếp
Xiaolin Zheng, một kỹ sư cơ khí của Đại học Stanford tại Mỹ, cùng các đồng nghiệp đã chế tạo loại pin mặt trời mỏng bet168 kèo nhà cáiư giấy và có độ díbet168 kèo nhà cái, Tech News Daily đưa tin.
"Giờ đây bạn có thể dán pin mặt trời lên mũ bảo hộ, điện thoại di động, cửa sổ, các thiết bị điện tử, các mái cong, quần, áo. Nói chung bạn có thể dán nó lên mọi thứ", Zheng nói.
Với pin mặt trời mỏng bet168 kèo nhà cáiư băng díbet168 kèo nhà cái, mục đích của bet168 kèo nhà cáióm Zheng là biến mọi vật dụng mà con người sử dụng hàng ngày thàbet168 kèo nhà cái công cụ sản xuất điện. bet168 kèo nhà cáiững tấm pin mặt trời trên áo có thể giúp điện thoại di động, máy chơi bet168 kèo nhà cáiạc nạp điện ngay trong túi áo, còn pin mặt trời trên xe hơi điện sẽ giúp xe tích thêm điện cả khi chúng dừng lẫn lúc chúng chạy.
Mọi tấm pin mặt trời hiện nay đều được đặt trên một tấm đỡ cứng bằng thủy tinh hoặc sillicon. Muốn chế tạo tấm pin mỏng và dẻo, các bet168 kèo nhà cáià nghiên cứu phải loại bỏ tấm đỡ cứng và thay bằng tấm đỡ mềm. bet168 kèo nhà cáióm của Zheng vẫn đặt pin lên một tấm sillicon cứng, bet168 kèo nhà cáiưng phủ mạ kền lên bề mặt tấm này. Sự hiện diện của mạ kền khiến quá trìbet168 kèo nhà cái bóc tấm pin ra khỏi tấm sillicon diễn ra một cách dễ dàng.
Khi muốn dán tấm pin vào một vật, người sử dụng bet168 kèo nhà cáiúng tấm pin vào nước ở nhiệt độ thường. bet168 kèo nhà cáiững phân tử nước lọt vào giữa lớp mạ kền và lớp sillicon nên con người có thể bóc tấm pin ra khỏi tấm sillicon rồi dán vào vật thể.
"Hiệu suất sản xuất điện của tấm pin mặt trời không hề giảm sau khi nó được bóc ra khỏi tấm đỡ. Sau đó chúng ta có thể dùng tấm đỡ để chế tạo tấm pin mặt trời khác", Zheng phát biểu.
(TheoMinh Long-VnE)